TG43-1406NTR原厂原装现货 全国直供热卖
“TGNTR原厂原装现货 全国直供热卖”参数说明
| 封装： | SMD | 功能结构： | 数/模混合集成电路 |
| 制作工艺： | 半导体集成电路 | 导电类型： | 双极型 |
| 外形： | 双列直插型 | 集成度高低： | 大规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | TGNTR |
| 规格： | 04+ | 商标： | HALO |
| 包装： | 3000/包 |
“TGNTR原厂原装现货 全国直供热卖”详细介绍
随着MOS器件特征尺寸缩小至纳米尺度,短沟道效应
(SCE)、漏致感应势垒降低(DIBL)效应[1]等小尺寸效应
对器件性能的影响愈来愈突出。为了有效抑制短沟道效
应,对沟道区进行横向非均匀掺杂 的Halo注入[2-3]在纳
米尺度MOS器件制作中广泛 应用。图1是采用Halo注入的
NMOS器件结构示意图,Halo注入使沟道区离子浓度在横向
上呈现两端高中间低的分布,靠近源漏处的高掺杂可以有
效抑制源漏耗尽区向沟道内的扩展,减少电荷共享,防止
源漏穿通,从而抑制短沟道效应及DIBL效应[4-8];而在远
离源漏结的沟道处,离子掺杂浓度较低,可以保持较高的
载流子迁移率。
(SCE)、漏致感应势垒降低(DIBL)效应[1]等小尺寸效应
对器件性能的影响愈来愈突出。为了有效抑制短沟道效
应,对沟道区进行横向非均匀掺杂 的Halo注入[2-3]在纳
米尺度MOS器件制作中广泛 应用。图1是采用Halo注入的
NMOS器件结构示意图,Halo注入使沟道区离子浓度在横向
上呈现两端高中间低的分布,靠近源漏处的高掺杂可以有
效抑制源漏耗尽区向沟道内的扩展,减少电荷共享,防止
源漏穿通,从而抑制短沟道效应及DIBL效应[4-8];而在远
离源漏结的沟道处,离子掺杂浓度较低,可以保持较高的
载流子迁移率。
编辑：南京凯邦伟业科技有限公司 时间：2018/05/11